三星DS部门2H23战略总检视 DRAM涨价、HBM销售成重点

三星电子（Samsung Electronics）为因应经济不景气及复杂的市场环境，展开为期三天的经营战略会议。其中在半导体领域，三星着重DDR5、高带宽存储器（HBM）等高附加价值产品事业、存储器减产效果、晶圆代工厂建厂时程等讨论。

根据韩媒首尔经济、Daily等报导，三星日前召开「2023年下半全球战略会议」，检视各事业部门经营状况，其中半导体暨装置解决方案（Device Solutions；DS）部门战略会议于京畿道华城园区举行，由部门负责人庆桂显主持。虽然业界普遍预测2023年下半存储器产业将反弹，但三星内部仍认为不可过度乐观。

据悉，DS部门主要针对存储器减产效果及2023年下半全球半导体市况进行讨论。据传，三星和SK海力士（SK Hynix）因2023年第2季DRAM库存逐渐稳定，加上预期2023年下半需求将逐渐回升，因而自2023年6月与主要客户重启价格协商，并将底线订为1.4美元。库存稳定可看出减产效果正逐渐显现，业界认为DRAM涨价策略应为本次战略会议的重要议题。

此外，本次会议也集中讨论作为新成长动能的DDR5、HBM等高附加价值事业，随着ChatGPT等生成式人工智能（Generative AI）市场扩大，可协助处理大量数据的HBM备受关注。三星自2023年下半后，将配合存储器需求恢复，提高DDR5、HBM等产品的销售比重，并加速先进制程研发，确保竞争力。

据悉，三星近期陆续向韩国专利厅申请Snowbolt、Shinebolt和Flamebolt三项商标，被推测为新一代HBM产品名，虽然并非马上推出新产品，但可看出三星正准备扩大HBM阵容。

晶圆代工部分，京畿道平泽园区第三工厂（P3）及第四工厂（P4）、美国德州泰勒市晶圆厂的兴建进度为讨论重点，由于半导体市况恶化，目前P3工厂仅稼动NAND Flash生产线，DRAM及晶圆代工产线则有所推迟，连带影响P4厂建设时程。

此前三星预告2023年将针对P3工厂进行DRAM月产能4万片和晶圆代工2.5万片规模的投资，因此下半年的设备引进日程也受到业界关注。