三星HBM5沿用1c DRAM，1d工艺推迟试产

据韩国媒体The Guru援引业界消息人士说法，三星电子正在调整新一代DRAM和NAND Flash产品的投资进度。原本规划在2026年启动初期量产的项目，其实际资金投入时间已被向后推迟。

在DRAM方面，三星放缓了10纳米级第七代DRAM（1d DRAM）的投资步伐。据韩媒ZDNet Korea此前报道，三星正联合多家合作伙伴研发1d DRAM的量产设备，原定最快于2027年第二季度导入。然而，由于该工艺节点的良率尚未达到完全稳定的状态，且通过工艺微缩带来的单片晶圆产量提升在成本竞争力上缺乏急迫性，导致投资意愿降低。熟悉三星内部情况的消息人士透露，1d DRAM的投资预计将延至2026年底到2027年上半年启动，前期主要建设试产线。此外，三星计划在第八代高带宽存储器（HBM5）中继续使用10纳米级第六代DRAM（1c DRAM），这使得1c DRAM在短期内仍占据主力地位。

在NAND Flash领域，三星的投资态度同样趋于保守，自2025年下半年起便不断延后新一代NAND的投资计划。据悉，从第十代NAND开始，三星将引入晶圆键合工艺，把存储单元和外围电路分别制造在不同的晶圆上再进行结合。这种技术需要消耗两片晶圆并增加额外工序，致使制造成本显著增加。设备行业人士表示，在当前市场环境下，三星缺乏快速导入该技术的动力，目前其投资重心依然偏向DRAM，NAND则处于次要位置。

存储芯片价格的大幅上涨是促使三星改变投资策略的核心因素。在需求远超供给的背景下，存储厂商更倾向于提高现有产线的产能利用率以扩大产出，从而最大化利润，而非将资金投入到成本高昂的新一代工艺中。这种谨慎的投资策略在SK海力士身上也有所体现。由于SK海力士的洁净室产能相对受限，其新投资与生产规划更加审慎。目前，SK海力士已确定将1c DRAM应用于第七代高带宽存储器（HBM4E），预计短期内将把重心放在扩充1c DRAM的产能上。