据高盛7月底发布的韩国存储专家会议纪要显示，该文件进一步细化了TechInsights此前的宏观预测。在AI服务器需求的持续拉动以及供给端未见明显增加的背景下，存储芯片价格呈现易涨难跌的态势。
针对传统DRAM市场，专家预测2026年第三季度其价格将实现两位数的环比增长，这与近期现货市场的强劲反弹趋势相一致。在供应持续紧缺的支撑下，第四季度同样有望保持两位数的环比涨幅。而在高带宽内存（HBM）方面，受传统DRAM涨价的带动，明年HBM的定价存在翻倍的可能。此外，高盛预测三星电子的HBM产品售价在2027年将同比增长87%，这一数据高于彭博社汇总的52%的市场一致预期。基于此，高盛维持对三星电子的“买入”评级，并设定12个月的目标价为韩元48万（约人民币2235.36元）。
从合同结构来看，目前超过一半的服务器DRAM已被长期供货协议（LTA）覆盖，且预计未来该比例将继续上升。此类长期协议通常包含大额预付款、“照付不议”以及高额违约金等严格的约束条款，大幅提高了买方的退出成本。这使得存储芯片制造商的业绩确定性更强，在价格谈判中占据更多主动权。
对于市场担忧的二线供应商扩产问题，业内专家认为其影响相对有限。二线厂商的扩产转化为实际有效供给仍需一定时间。同时，由于生产1单位HBM所消耗的晶圆面积大约相当于4单位普通DRAM，HBM生产占用了大量晶圆产能。因此，即使整体晶圆产能有所增加，传统DRAM的有效存储容量增速仍可能低于历史平均水平，从而为价格提供结构性支撑。
注：按1韩元≈0.0047人民币计算
