国际IDM捷足先登 国内SiC磊晶扩产受限

就国内SiC磊晶厂来看，相关设备下单后至少得等2年才能取得。上游基板厂新进者众，积极低价抢单，磊晶厂当然顺手推舟，全面下压材料价格，快速反应在营业绩效上。即使磊晶厂心知肚明，量及品质都稳定的供货商相对有限。

有实力量产的基板厂也迫于形势妥协降价，因为手中订单流失不得，一旦业绩松动，易引起资本市场信心动摇，恐波及营运甚至生存，但降价亦使合理利润缩水。

热门的SiC长晶炉包括日、欧等，等待期亦约2年。因短缺及市场热度高，不少设备厂也积极跨于SiC长晶炉，例如富士康参股的盛新，母公司广运投入长晶炉自制，已达盛新总产能75%。

半导体业者指出，SiC长晶关键在热场处理及设计能力。这也是各家技术的know how所在。以美系大厂来看，取得设备后都会进行多次改机，单纯从其采购的炉子，仍难猜测其生产成功的秘诀，这也是何以全球SiC发展仍卡在长晶环节。

目前SiC基板制程成熟，以龙头WolfSpeed、II VI、罗姆（Rohm）等为主，前两者产能已被SiC龙头意法（STM）、英飞凌（Infineon）、安森美（Onsemi）等下游厂商买断。罗姆垂直整合完成，基板有较高比例自用。

由于需求成长迅度大于供给，IDM厂也积极朝上游长晶布局，包括2019年购并Norstel后，2022年下半意法将于意大利兴建一座整合式SiC基板制造厂，支持汽车SiC元件需求，朝SiC垂直整合迈进。

英飞凌则着墨于切晶精进，期使优质芯片量增加。2021年下半安森美购购并GTAdvanced，后者为市场公认少数可量产SiC长晶业者，供应对象包括与其签约的环球晶。

就第三类半导体来看，还有氮化镓（GaN）积极抢滩未来车，这包括车外充电桩，车内功率器件等，也透过各类研究力求突破，以备战未来。