116亿GaN项目落地！

GaN作为第三代半导体领域的“潜力股”之一，已经成为半导体、消费电子、汽车、光伏储能、智能电网、卫星通信、国防安全等跨领域的必争之地，近几年来吸引了无数投资者的青睐，相关项目接连签约落地、开工、投产，市场产能规模不断扩大。近期，又有一个GaN项目落地，投资规模超百亿元。

12月11日，西咸新区泾河新城消息显示，陕西省西咸新区泾河新城与江西誉鸿锦材料科技有限公司（以下简称：誉鸿锦）在北京签订战略合作框架协议：总投资116亿元的西安第三代化合物半导体芯片与器件产业化项目正式落户泾河新城。

据悉，西安第三代化合物半导体芯片与器件产业化项目将GaN为核心内容，建立第三代化合物半导体研发中心，开展GaN基半导体核心技术攻关、新品研发等工作。项目达产后，可实现年产值500亿元，实现年上缴税收约25亿元。

该项目的主体方是誉鸿锦，天石基金管理（深圳）有限公司也将对项目进行注资。誉鸿锦是成立于2021年1月的GaN IDM初创企业，位于江西省抚州市抚州高新技术产业开发区，注册资本1.16亿元，由深圳誉鸿锦芯科技合伙企业（有限合伙）100%持股，旗下拥有三家子公司。

誉鸿锦的主营业务是GaN系列第三代半导体材料的MOCVD外延生长、电子器件和光电器件芯片流片研发制造、器件及模组的封装制造等全产业链的研发和生产，产品覆盖SBD、HEMT、射频/功率放大器、UVC LED等，面向新能源汽车、数据中心、超算中心、5G通讯及杀菌消毒等领域。

旗下子公司誉鸿锦芯片规划建设第三代半导体芯片全产业链项目，该项目主要从事GaN电子材料和高端光电材料的MOCVD外延生长及器件流片、模组的研发和生产制造。该项目总投资50亿元，一期已投入9亿元，建成后将形成年产能60万片，年产值30亿人民币规模。二期投入41亿元，建成后将形成年产能300万片，年产值100亿人民币规模。（文：化合物半导体市场 Jenny整理）

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