芯塔电子首款国产15V驱动SiC MOSFET性能测试达到预期水平

今年8月，芯塔电子发布其自主开发的第二代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET产品量产，目前已获国内军工、新能源汽车、光伏储能、充电桩领域头部客户批量订单。

近日，芯塔电子首款国产15V驱动1700V/750mΩ SiC MOSFET 关键性能参数测试达到预期水平，即将正式对外发布。

芯塔电子表示，这意味着国内外技术差距正在逐步缩小，SiC器件国产化替代进程加速，同时也是芯塔电子发展道路上具有里程碑意义的重要一步。

Source：芯塔电子

芯塔电子1700V / 750mΩ SiC MOSFET VGS=15V下导通电阻典型值700 mΩ，VGS=20V下导通电阻典型值570 mΩ，产品最大的亮点之一就是可满足15V驱动。

15V驱动的SiC MOSFET产品对比20V驱动优势更加明显：一是采用15V驱动的产品兼容性更高，系统可以更好兼容目前IGBT驱动电路；二是进一步提升了器件的可靠性，同时降低了驱动损耗；三是国内驱动芯片厂商大多供应15V的驱动芯片，国产配套容易，使得客户可以充分利用 SiC MOSFET 的优势。