中镓半导体联合北京大学，GaN衬底研发获突破！来源:化合物半导体市场发布时间:2022-11-28903浏览询问 AI近日，中镓半导体与北京大学、波兰国家高压实验室开展了合作，使用乙烯气源制备出了世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底。实验使用乙烯气源制备了半绝缘GaN衬底，并对制备得到的GaN材料进行了表征，证明了乙烯气源的掺杂效率比传统甲烷气源高40倍。在相同测试温度下比较了现有报道的半绝缘衬底参数，使用乙烯制备的其中一个半绝缘氮化镓样品达到了目前报道的最高GaN体电阻率。据悉，中镓半导体有限公司成立于2009年1月，总注册资本1亿3千万元。公司总部位于广东省东莞市，厂房总占地面积1万7千平方米，是国内首家专业研发、生产氮化镓衬底材料的企业。值得注意的是，今年2月，公司成功地将2英寸氮化镓自支撑衬底产品的位错密度降低到了4×105 cm-2 到 7×105 cm-2范围，并且新产品已开始量产销售。新闻来源：化合物半导体市场，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。
