realme首发双链路百瓦闪充，内置英诺赛科BiGaN

昨日，真我realme举行新品发布会，正式推出了真我GT2大师探索版，这是行业首个轻薄的百瓦大电池并内置GaN充电保护的手机。

据悉，realme此次在手机端引入的氮化镓功率元件为英诺赛科的BiGaN产品。

Source：真我realme

OPPO之后，realme跟上！

据了解，该机在8.17mm极致轻薄的机身下配置100W光速秒充和5000毫安大电池，使得快充、轻薄和长续航三者兼备，25分钟时间即可充电至100%，彻底缓解续航焦虑。

据realme副总裁徐起介绍，“真我GT2 大师探索版创新性地将氮化镓引入手机端，大大节省手机内部空间，降低发热峰值，实现了体积降低64%，峰值功率发热降低85%。保证手机在充电过程中更高效，更安全。”

realme此次在手机端引入的英诺赛科BiGaN产品，其原理在于利用一颗Bi-GaN就能替代之前的共漏连接的背靠背两颗NMOS，实现电池的充电和放电电流的双向开关，使相同占板面积下的导通电阻降低50%，温升降低40%，提高手机内部空间利用率。

值得注意的是，6月28日，OPPO向公众首次展示了英诺赛科 Bi-GaN 系列产品，Bi-GaN 系列产品中的INN40W08氮化镓开关管也一并亮相。

英诺赛科INN40W08是Bi-GaN产品系列中一款40V增强型开关管，采用WLCSP 2x2封装，体积十分小巧。芯片支持双向开关，导通电阻低至7.8mΩ，可应用在智能手机充电过压保护电路、高压侧负载开关电路、多电源系统的开关电路等场景中。

30亿融资，抢滩国际业务

现今，随着5G、消费电子、工业能源转换及新能源车等需求拉升，基站、能源转换器及充电桩等应用需求随之大增，氮化镓、碳化硅功率器件需求强劲。

据TrendForce集邦咨询研究显示，GaN功率元件至2025年市场规模将达13.2亿美元，年复合成长率高达94%。

英诺赛科（珠海）成立于2015年，专注于8英寸硅基氮化镓器件的研发和制造，目前立足于珠海和苏州两大生产基地。公司董事长骆薇薇主攻应用数学专业，曾在NASA工作多年。英诺赛科作为一个初创企业，成立仅7年，成绩不凡。

今年以来，英诺赛科动作频频，突破不断。

1月，英诺赛科宣布正式启动国际业务，通过在美国硅谷及比利时鲁汶增设设计及销售办公室，为客户提供更好的支持与服务。

2月，英诺赛科完成近30亿D轮融资。其中，钛信资本斥资6.5亿元领投，毅达资本、海通创新、中比基金、赛富高鹏、招证投资等机构跟投。钛信资本出资占比超过20%，是投资金额最大的投资人。此前，“动力电池一哥”宁德时代创始人曾毓群也投资了英诺赛科，认缴出资额为7504.54万元。

5月，英诺赛科与台湾地区两大半导体经销商之一——大联大控股（WPG Holdings）签订了全球经销协议，将更全面地为全球客户提供高压、低压增强型场效应晶体管GaN HEMTs产品。