宋在赫新上任三星半导体新主管 三星抢2022年底推224层V-NAND

不同于DRAM至今仍纠结于2D平面的方寸之间，NAND Flash厂商已经开启在3D堆叠领域的竞逐，预计176层3D NAND有望成为2022年市场竞争的重点。相较于美光(Micron)早在2020年11月，率先业界量产176层3D NAND，SK海力士(SK Hynix)也在2020年底，发表176层512Gb TLC NAND Flash，而三星电子(Samsung Electronics)透过新闻稿正式公布的V-NAND量产时程，至今仍停留在128层。这其中有何奥妙？

韩媒罕见直指三星存储器技术落后对手

据Seeking Alpha报导，截至2021年底，各大原厂的主力制程仍在96层与128层，预计176层的产能占比，可望从5%进一步提升至2022年底上看25%以上。随着供应商持续推进更高层数堆叠，借此降低每GB的生产成本，表面上看来落后的三星，又将如何应对？有趣的是，韩媒也罕见地坦承因对手猛攻，冲击三星在存储器市场的龙头地位开始动摇，也直言三星已经在制程技术上落后对手。

朝鲜日报(Chosun Ilbo)在2021年6月9日撰文，美光抢先量产176层3D NAND一事，相较三星最先进的128层V-NAND，高出约50层，据称三星内部对于技术遭美光逆转一事，承受不小打击。该文甚至援引NAND Flash市占率数据，对比三星从2006年全球占比超过45%，到了2021上半年已滑落至33%左右，借此彰显长久以来以极大差距领先对手、稳坐存储器市场龙头位置的三星，已出现动摇。

三星半导体研发首脑宋在赫直面辩护

值得注意的是，日前接掌三星半导体研发中心新任主管之责的宋在赫，当时也在朝鲜日报发表的同一天，上传一份长篇文章到三星新闻稿发布区，强调三星已经掌握200层以上第八代V-NAND技术，未来将引领1,000层堆叠NAND时代到来。

宋在赫在文中强调，在三星率先业界开发出V-NAND之后，推高层数堆叠竞争日益激烈，但就算是同样层数，核心的竞争力仍在于，如何实现透过业界最小cell的3D微缩(3D Scaling)技术，成为最先克服NAND Flash高度限制的问题。

针对176层NAND量产落后的质疑，宋在赫当时也宣布计划三星将在2021下半年推出第七代V-NAND，也强调三星采用3D微缩技术，协助体积减少3成以上，意味着即便是同样的176层，三星电子的第七代V-NAND也有信心相较对手更具竞争力。

诚然，耙梳三星从2021年6月至今的正式新闻稿声明，尽管2021年10月重申计划量产第七代V-NAND，但三星新闻稿关于V-NAND量产时程最新时代仍落在第六代，尤其三星2021存储器部门的资本支出，也着重15纳米DRAM(1z)扩产与第六代V-NAND量产。

三星拟2023年量产200层以上第八代V-NAND

不过，2022年2月间，据Business Korea引述业界人士透露，三星原计划2021年底量产176层V-NAND，但考虑到当时的市况，最后决定延后到2022年；有监于美光抢先量产176层NAND之耻，传出三星将加速200层堆叠以上V-NAND量产脚步，最快2022年底或2023上半年推出200层堆叠以上V-NAND，预计2023年上半开始量产、供应市场，夺回被美光抢走的技术领先头衔。

报导指出，三星预计128层堆叠存储器上、再叠96层，共推出224层V-NAND。韩媒的爆料，其实也与宋在赫先前的说法一致，并指出三星正做好一切准备，根据市场情况和客户要求，及时量产推出产品上市。

宋在赫的发言，在韩媒看坏三星存储器前景之际，挺身V-NAND推进辩护，即便当时其仍是主责Flash开发部门，如今宋在赫已被授以三星半导体研发中心新任主管之责，必须同时兼顾存储器与系统半导体在先进制程与芯片产品的开发，可说是三星半导体的重中之重，更必须承担存储器与晶圆代工等部门的先进制程推进要务。

责任编辑：张兴民