三星第七代DRAM量产计划明朗，预计27年底投产

据韩媒ZDNet Korea报道及韩国业界人士透露，三星电子正联合多家合作伙伴，共同研发第七代10纳米级（1d）DRAM的量产设备。相关量产计划预计最快于2026年底最终确定，设备导入目标定在2027年第二季度。考虑到实际生产准备的周期，该工艺的首次量产时间预估将推迟至2027年年底。

在技术规格方面，当前已商用的第六代10纳米级（1c）DRAM特征尺寸约为11至12纳米，而新一代1d DRAM将电路线宽进一步微缩至10到11纳米，更窄的线宽有助于提升内存的性能与能效表现。目前，三星已经完成了早期样品制造等量产前的内部评估工作。尽管有观点猜测其可能在2026年就开始量产，但由于核心制造设备仍在研发中，业界普遍认为这一预期难以实现。

此外，针对计划于2029年投入商用的第九代高带宽内存（HBM5E），有消息称三星打算采用1d DRAM作为其核心裸片。这意味着该新一代DRAM产品有望在人工智能存储业务中发挥重要作用。