三星1D DRAM量产推迟至2027年底

据韩国媒体ZDNET Korea报道，三星电子正携手产业链伙伴，共同研发第七代10纳米级1D DRAM的量产配套设备。受核心制造设备研发进度的制约，此前业界关于2026年量产的预期已无法实现。目前相关设备的导入目标被设定在2027年第二至第三季度，且该时间表仍有微调可能。考虑到设备进厂后还需经历产线建设、工艺调试及良率提升等一系列前置流程，这款新型存储芯片最早将于2027年底开启初步量产。

在工艺节点方面，第七代1D DRAM的电路线宽缩小至10到11纳米，相较于目前商用的第六代1C DRAM（11至12纳米）进一步微缩。线宽的缩减不仅有助于提升产品运行性能并降低功耗，但也使得光刻、电容及薄膜沉积等制造环节的难度显著增加。为此，三星在完成早期样品流片与内部评估后，现正联合设备供应商定制专属产线设备，以保障后续量产良率的稳定性。

据知情人士透露，在终端应用规划上，采用1D工艺的芯片裸片将成为第九代高带宽内存（HBM5E）的核心存储单元，预计于2029年实现商业化落地。目前三星量产的HBM4至HBM5系列均基于1C工艺，而HBM5E将是首款搭载1D工艺的高端人工智能内存产品，主要服务于下一代AI算力服务器场景。