三星1d DRAM工艺研发中，最快2027年底量产

据外媒wccftech报道，在人工智能需求不断增长的背景下，存储器逐渐成为算力发展的关键制约因素。为了满足AI服务器及高端芯片对高带宽存储器（HBM）和存储器模组的更高标准，各大DRAM制造商正加快工艺迭代步伐。

现阶段，三星电子最先进的DRAM产品主要基于1c工艺生产。该节点大量使用极紫外（EUV）光刻和金属栅极技术，并已应用于面向人工智能和高性能计算市场的HBM4产品中。

相较于前代产品，正在开发中的1d DRAM在架构上实现了突破，首次将电容从水平排列改为垂直堆叠。这种设计能够显著提高单位面积的存储密度和能效，非常契合未来AI模型训练与推理对低功耗、高带宽存储器的需求。同时，该工艺还将引入双晶圆键合技术，把存储阵列与外围控制电路分别制造在不同的晶圆上再进行封装整合，从而优化生产灵活性和整体性能。此代工艺在节点划分上大致对应美光的1-delta级别。

另据韩国媒体援引业内人士的消息透露，三星电子打算在2027年第二季度之前，把1d工艺所需的专属设备引入生产线。如果前期的技术研发和设备调试工作进展顺利，该节点有望在2027年年底实现量产，这也将对该公司在HBM5E领域的市场竞争力产生直接影响。