【三星、美光DRAM争霸系列报导】美光1b纳米DRAM抢先量产 三星1b只闻楼梯响

相较于三星电子(Samsung Electronics)日前澄清将继续开发1b纳米(12纳米)时代DRAM，按照原定时程量产，摆脱外媒传出三星有意跳过1b、直攻1c纳米(11纳米)DRAM开发的传闻。

然而，早已超前三星约1年量产1a(14纳米)的美光(Micron)，日前证实1β DRAM可望在2022年底前量产，进入良率提升(yield ramp)阶段，目标锁定2023年起商业化放量生产。

三星不愿提出究竟1b纳米DRAM何时导入量产，但根据半导体研究机构The Information Network估计，与美光2022年第4季开始量产相较，估计三星与SK海力士(SK Hynix)最快也要等到2023年第2季才会投产1b纳米，落后时间约有半年，且届时是否能放量(ramp up)，仍有变量。

美光日前年度法说会，除了强调1α纳米DRAM目前已经顺利放量，同时揭露1β纳米最新推进外，也更新DRAM制程产品蓝图，在原先1γ (gamma)纳米、1δ (delta)纳米时代以外，在平面DRAM制程节点再加入1ε (epsilon)纳米时代，推进10纳米以下。

DRAM产业在20纳米时代以下，业者透过1x、1y、1z、1a、1b、1c(美光在后三者为1α、1β、1γ)等命名，约略指涉14纳米、12～13纳米、11纳米等DRAM时代，不同于韩厂仍以拉丁字母abc命名，美光采用希腊字母α、β、γ 、δ、ε 指涉。美光技术产品资深副总Scott DeBoer指出，与竞争对手很早就导入EUV曝光机台不同的是，美光稳健导入DUV多重曝光等技术，完善1α纳米DRAM放量与1β纳米时代量产推进，预计要到2024年投产1γ纳米DRAM时，才会导入EUV曝光制程。

美光1α纳米DRAM从2021年第1季量产以来，不仅居DRAM产业领先地位，凭藉在DUV多重曝光的娴熟掌握，1α纳米DRAM相较前一时代节点，快了5个月达到成熟良率开出(mature yield)，并未因快速推进1α纳米量产的同时，牺牲DRAM产业最重视的良率。

DeBoer表示，目前1γ纳米DRAM时代业已进入yield enablement阶段，正在启动、逐步改善良率中。接下来的1δ纳米时代，目前还在结构发展阶段(structural development)，至于新加入蓝图的1ε纳米时代，则还在开发探索阶段。美光强调，预期等到顺利出货1ε纳米DRAM芯片后，才会考虑是否有必要转入3D DRAM取向，尽管美光仍持续探索3D DRAM技术，但如EUV曝光导入一般，必须是在最适合美光的时间采用。

报导指出，虽说美光导入EUV曝光制程比三星、SK海力士晚了4～5年，但美光强调，尽管三星、SK海力士先后在2019年与2020年导入EUV曝光投产1z纳米(15纳米)DRAM，但美光从技术上与成本考量上，决定要沿用DUV多重曝光直至1β纳米时代，并早从2018年起即着手研究评估何时导入EUV系统。如今美光好整以暇将在2022年底前量产1β纳米DRAM，更强调目前已达yield ramp，意味着距离成熟良率放量生产(ramp up)不远。

反倒是三星于2021年底姗姗来迟宣布量产14纳米制程DRAM，至今12纳米开发虽表态将继续推进、不会跳过1b、直攻1c纳米DRAM。虽说以三星庞大的市占率与集团垂直整合优势，落后美光1β纳米DRAM领先量产，在获利方面未必有立即减损。只是眼看美光近年来屡屡在DRAM先进制程夺胜，何尝不是三星引以为傲的存储器霸业的警讯？