三星10nm 拚明年底量产

台积电及三星FinFET制程比较
半导体市场第2季需求明显趋缓，但国际半导体设备材料产业协会（SEMI）公布2015年4月份北美半导体设备订单及出货金额，却同步攀上近3年新高，其中有2个主要原因，一是记忆体厂力拚20奈米DRAM制程微缩及3D NAND扩产；二是晶圆代工厂10奈米制程竞赛正式开打。

台积电16奈米鳍式场效电晶体（FinFET）制程已进入量产阶段，虽然进度上落后三星14奈米FinFET制程，但台积电信心满满，认为第3季产能快速拉升后，明年将可夺回14/16奈米FinFET制程市场占有率，且加计20奈米的市占率将在明年远远超过竞争对手。

为了避免先进制程推进速度落后对手的情况再度发生，台积电今年拉高资本支出逾100亿美元，全力投入10奈米FinFET制程的研发，预计今年底就可开始试产，接受客户的产品设计定案（tape-out），明年底将进入量产。虽然台积电10奈米进度仍落后半导体市场龙头英特尔，但已明显拉进双方的技术差距。

不过，三星也非省油的灯，根据外电报导，三星在美国举办的会议中，宣布10奈米FinFET制程将在明年底全面投产，时间点与台积电大致相同。三星晶圆代工部门副总裁Hong Hao表示，三星10奈米制程在功耗、晶片尺寸、效能上都有很大的优势。

为了对抗台积电，三星的14奈米布局也加速进行，与晶圆代工厂格罗方德进行策略联盟。三星位于韩国的2座晶圆厂、位于美国奥斯汀的12寸厂、以及格罗方德位于美国纽约州的晶圆厂，都已导入14奈米制程并开始生产。