三星亮出全球首款5nm MRAM，计划2027年量产

据韩国媒体SEDaily报道，三星电子近期在2026年IEEE VLSI（超大规模集成电路）研讨会上，正式公开了业界首个5纳米制程MRAM（磁性随机存取存储器）的研发进展。

与传统的DRAM相比，MRAM的核心竞争力在于其非易失性特征。这种存储器不需要进行高频次的数据刷新操作，能够长期稳定地保存数据，进而在功耗和能效表现上展现出显著优势。

在规格方面，此次亮相的5纳米MRAM产品具备极宽的工作温度区间，可适应零下40摄氏度至零上150摄氏度的严苛环境。该器件符合AEC-Q100车规级认证标准，目前正按照既定规划，向着2027年实现大规模量产的目标稳步推进。

此外，三星在磁性存储器领域的布局不仅限于此。今年初，该公司曾在其他学术场合展出过8纳米节点的MRAM技术。基于该8纳米工艺打造的边缘人工智能芯片，也已于今年5月份顺利完成流片验证。