据韩媒iNews24报道，三星电子已正式启动韩国平泽四厂（P4）半导体生产线的设备采购工作。这标志着其备受关注的1c纳米DRAM投资计划正式进入实施阶段。
根据韩国金融监督院电子公示系统（DART）数据，三星近期与多家供应商签署了半导体设备供应合同。这些供应商包括韩国半导体设备与化学物质供应系统业者STI、半导体与显示器设备供应商C&G Hitech，以及存储器测试设备制造商YC。合同均于2026年4月10日生效，持续至2026年底。由于签约时间和期限高度一致，业界认为这些采购是为了单一生产线的建设。
此次采购内容涵盖化学品供应设备和制程检测设备，属于工厂投产前的关键准备阶段。业内人士分析，这表明P4厂的建设进度已进入投产准备阶段。若按设备交付和合同期限推算，P4厂有望在2026年内完成产线建设，并于2027年初正式投入运营。
此次投资的核心是第六代10纳米级（1c）DRAM技术，这是目前量产阶段最先进的制程，其性能和能效均优于第五代（1b）DRAM。1c DRAM技术将主要用于高带宽存储器（HBM），特别是第六代高带宽存储器（HBM4）。HBM4对性能和能效要求更高，需要更精细的制程支持。三星计划在HBM4中率先采用1c DRAM，而竞争对手SK海力士目前仍使用1b制程。
值得注意的是，三星此次1c DRAM投资的时间节点恰逢HBM4需求爆发前夕。外界推测，三星可能希望通过P4厂的1c DRAM产线，直接切入NVIDIA等客户的供应链，进一步巩固其市场地位。
