据韩媒DealSite报道，三星电子正计划削减用于HBM3E内存供应的1a nm DRAM产能，削减幅度达30%~40%。此举旨在通过制程转换，将更多资源投入到适用于通用内存产品的1b nm工艺，以提升整体利润。
三星电子的HBM3和HBM3E内存目前基于1a nm DRAM工艺，而下一代HBM4则将采用1c nm工艺。值得注意的是，1b nm工艺的产能完全由通用内存产品占据。由于AI需求激增以及HBM内存对产能的挤占，DDR5、LPDDR5x、GDDR7等通用内存产品近期价格快速上涨。在此背景下，1b nm工艺的盈利能力甚至超过了传统认知中因HBM高价而获利的1a nm工艺。
尽管三星电子已成为英伟达HBM3E的供应商，但其供货规模相对有限。三星电子在HBM3E上的平均售价较SK海力士低30%，而预计到2026年，HBM3E的价格还将进一步下降30%。
消息人士透露，若三星电子将1a nm工艺中30%~40%的产能，以及1z nm等成熟工艺的部分产能切换至1b nm工艺，1b nm的月投片量有望额外增加8万片晶圆。
