据韩媒ZDNet Korea和首尔经济等媒体引述业界消息，三星电子近期已经完成了韩国华城园区老旧NAND Flash晶圆厂的停产与设备搬迁工作。在此基础上，该公司正积极推进动态随机存取存储器（DRAM）的扩产计划。预计到2026年年底，其常规DRAM的整体产能将实现约15%的增长。
华城园区的12号生产线原本主要用于2D NAND闪存的量产。随着存储行业逐步淘汰这类老旧产品，三星决定在2026年内全面停止相关产品的出货。为了配合这一战略调整，三星在2025年年中启动了对12号线的转型投资，将其改造为15号线的后道工序（BEOL）金属配线工厂。据悉，15号线目前正负责生产包括1b和1c节点在内的业界最先进DRAM产品。
业界人士透露，这项产线改造工程从2025年下半年开始实施，并已在2026年7月顺利完工，最快能在2026年下半年与15号线协同投入生产。同时，三星计划在2026年7月启动华城第一厂区（H1）12号线的运营准备工作，使其成为常规DRAM的后道工序厂。此外，公司还准备把目前分散在华城第二厂区（H2）以及天安园区的后道工序设备集中搬迁至H1厂区，从而利用腾退出的空间来增设新的生产线。
过去，三星需要先在华城的主工厂完成芯片的前道制造，然后再将其运往天安的后道工序厂进行后续加工。这种模式不仅推高了物流运输成本，还拖累了整体生产效率。通过此次产线重组，三星将常规DRAM的前道与后道工艺集中到了同一个园区内，成功复制了其在平泽园区将主工厂与后道工序厂设在同一基地的先进生产模式。
随着12号线转型的完成，其原本每月约10万片晶圆的2D NAND产能将被释放，转而大力支持DRAM的产能扩充。业界人士预估，到2026年年底，三星常规DRAM的产能相比2026年年初将提升约15%。
