迈为股份：高选择比刻蚀设备可应用于DRAM和HBM工艺

12月1日，迈为股份（300751.SZ）在投资者互动平台上透露，公司高选择比刻蚀设备及混合键合设备能够应用于DRAM（高带宽存储器HBM）工艺。这些设备能够满足部分先进存储制程需求，为高性能存储领域的扩产和技术迭代提供支持。

据迈为股份披露，其刻蚀和薄膜沉积设备已在存储芯片和逻辑芯片制造领域广泛应用，并在多类晶圆制造产线上实现批量导入和稳定运行。此次特别提到的高选择比刻蚀和混合键合设备，进一步展现了公司在半导体前道关键工艺装备上的覆盖能力。

高带宽存储器HBM是高性能计算和AI训练等场景中的关键存储产品，对工艺精度、层间互连和良率控制提出了更高要求。刻蚀与混合键合等环节的设备性能直接影响堆叠结构的一致性和信号传输效率，相关设备进入HBM供应链，将提升本土半导体设备厂商在存储升级周期中的参与度。

从更广泛的业务布局来看，迈为股份在半导体装备领域持续投入，在刻蚀、薄膜沉积等环节形成了一定的产品组合和客户基础，并通过与晶圆厂合作不断优化工艺适配性和量产稳定性。公司在互动平台强调，将继续围绕存储与逻辑芯片客户需求完善产品线布局，抓住先进制程和新型存储器发展的窗口期。