台积电将采用先进制程生产HBM4、定制版C-HBM4E基础裸晶

据德媒Hardwareluxx报道，台积电近日在荷兰阿姆斯特丹的一场论坛上透露，定制化高带宽存储器（HBM）将在HBM4E时代正式实现，并将其称为C-HBM4E。这一技术将改变以往由存储器厂商制造基础裸晶的传统模式。

具体来看，HBM4和C-HBM4E的基础裸晶将由台积电以先进制程生产，而非此前由三星、SK海力士与美光等存储器厂商制造。HBM4的基础裸晶将采用台积电N12制程，工作电压从1.1V降至0.8V，效率提升至约1.5倍。而C-HBM4E则进一步采用N3P制程，电压降至0.75V，效率较HBM3E提升约2倍。

在封装技术方面，台积电新一代CoWoS-L技术将为未来的AI加速器提供强大支持。据悉，2026年推出的CoWoS-L技术光罩尺寸上限为5.5倍，可整合多达12个HBM3E或HBM4芯片，专为AMD的Instinct MI450X与NVIDIA的Vera Rubin等产品设计。到2027年，CoWoS-L将采用A16制程，光罩尺寸上限扩展至9.5倍，支持超过12个HBM芯片的整合。

台积电不仅在先进制程领域占据领先地位，还在芯片制造与电子设计自动化（EDA）工具的结合上展现了强大实力。从芯片开发初期，台积电便能深度介入，为高效运算（HPC）与AI领域的IC设计公司提供不可或缺的技术支持。