海力士放缓HBM4扩产，转攻通用内存市场

据韩国媒体Chosun Biz报道，SK海力士正在调整其存储器生产策略，减缓第六代高带宽存储器（HBM4）的产能扩张，并将业务重心向通用DRAM市场转移。

消息指出，该公司推迟了部分从HBM3E向HBM4升级的生产线转换计划。这一调整主要基于利润率的考量。数据显示，到2026年第一季度，尽管通用DRAM的单位售价不及HBM，但其营业利润率预计将比HBM高出15个百分点以上。同时，通用DRAM市场目前面临严重的供应短缺，SK海力士希望通过快速响应来获取更多信息利润。此外，公司管理层也注意到竞争对手三星电子在通用DRAM领域获得了丰厚的回报。

另一方面，SK海力士的HBM4产品目前仍处于英伟达的质量认证阶段。由于搭载该存储器的英伟达下一代人工智能芯片Rubin的产量预期被不断下调，现阶段加速生产线转换的必要性降低。

在HBM领域，SK海力士已占据领先地位。高盛分析认为，只要其在2026年前保持HBM3和HBM3E超过50%的市场份额，便能维持盈利增长；摩根士丹利也强调，整体存储器价格周期才是影响企业价值的关键。然而，竞争并未停止。据悉，三星电子的HBM4累计营业收入已突破10亿美元（约人民币67.87亿元），并计划在2026年底前实现100亿美元（约人民币678.69亿元）的营收目标。随着三星在HBM4及后续产品上的市场份额逐步提升，未来人工智能存储器市场的竞争格局仍将发生变化。

注：按1美元≈6.79人民币计算