据trendforce报道，三星电子计划在2026年底将其新一代1c DRAM（16nm级第六代）的月产能提升至20万片晶圆，占其DRAM总产量的近三分之一。这一扩产规模创下公司历史纪录。
新增产能将通过现有产线的工艺升级以及对平泽P4工厂的新投资共同实现。据ETNews报道，此前已暂停两年的平泽P5产线也全面复工，预计2028年投产，专注于下一代HBM与1c DRAM的生产，为技术迭代提供支持。三星表示，AI服务器、边缘计算和高端PC对高带宽、低功耗DRAM的强劲需求是此次扩产的主要驱动力。
外媒分析称，三星目前的DRAM总产能约为65-70万片/月。若2026年1c DRAM月产能达到20万片，将占公司DRAM总产出的近30%，远超2022年半导体景气周期新增的13万片产能。
据ZDNet报道，三星的竞争对手SK海力士也公布了类似计划：2025年启动1c DRAM量产，2026年将通用DRAM产出的一半以上切换至1c节点，同时构建LPDDR和GDDR完整产品线。
外媒形容三星的扩产计划为“三步走”路线图，现已全面启动：2025年底月产能先达到6万片，2026年第二季度增加至14万片，第四季度最终达到20万片，每个节点均以“量产就绪”为标准。
