三星终于揭露1b DRAM量产进度 EUV采购不手软

三星会长李在熔（图右）数度访欧、会面ASMLCEOPeter Wennink，旗下三星半导体包括DRAM与晶圆代工业务，对于EUV曝光机需求强劲。三星

终于等到三星电子（Samsung Electroncis）主动揭露DRAM新时代1b制程节点（12纳米）制程的量产进度了！

时隔一年之久，三星此番证实，1b DRAM制程量产准备工作，已接近完成阶段，计划2023年导入1b EUV制程，量产32Gb DDR5产品。

根据三星27日1Q23财报法说会上，存储器业务执行副总金在俊（音译）在问答环节与分析师的问答显示，三星在存储器景气寒冬之际，日前虽已证实将减少投片量，加速打消自家芯片库存包袱，但在另一方面，三星仍坚持存储器资本支出（Capex）不下修，2023年资本支出预算仍与2022年相仿。

这与美光（Micron）、SK海力士（SK Hynix）两大对手纷纷下修的作法迥异。有监于此，日前法说会上，法人也对三星的减产逻辑提出质疑。

对此，三星高层主张，存储器减产是不得不为的决定，必须快速去化烫手的高库存，估计从第2季起，库存水准可望开始下降。

展望2023年下半，公司在一边监控、一边灵活投片策略下，预计三星的库存正常化速度，将在下半年加快，然而，三星依旧必须「先发制人」。

三星持续扩产、确保无尘室准备就绪，以「先盖厂房、延后装机」策略（Shell-First Strategy）为前提，迅速在景气回温时、第一时间增产抢获利头香，其中，考量技术竞争力的先进制程DRAM时代转换，便成了三星的首要任务。

犹记一年前的此时，韩媒纷传，三星DRAM新制程时代开发不顺，拟弯道超车放弃1b纳米制程、直攻1c纳米开发等传闻，甚嚣尘上。对此，三星高层在1Q22财报法说会上，遭到许多法人代表的连番提问。

当时，三星与会主管韩进万（音译）对于1b DRAM制程开发，传出公司有意取消的传闻，在法说会上首度证实，1b纳米制程DRAM将持续开发，并按照既定时程量产。

然而，该主管并未提供更进一步「量产时间表」，仅表示由于1b纳米制程应该是三星从1z纳米制程、1a纳米制程以来，第三代导入EUV曝光机台的DRAM先进制程，应可提供优异的成本优势，而这个所谓的「既定时程」，外界也无从得知。

一年过去了，外界仅知三星不会跳跃式量产新时代DRAM。直到如今，才终于从三星存储器业务执行副总金在俊的口中证实，姗姗来迟的1b制程节点DRAM量产「几乎准备就绪」，距离2023商用量产、只有一步之遥。

值得注意的是，尽管三星在1y制程时代以前，在技术上领先美光、SK海力士，但由于匆促在1z时代强渡关山、欲导入EUV机台企图大幅领先竞争对手，但对手延缓采用EUV、继续导入DUV曝光的决定，反而让美光、SK海力士抢先三星量产1a（14纳米制程）时代，且领先时程长达6～9个月之久。

尽管三星1a纳米制程量产终于在2021年第4季姗姗来迟，却传出迟迟未能达到规模经济，相对逊于美光已经导入1a节点量产初代DDR5的进程。

尤有甚者，美光已于2022年11月宣布，1b制程DRAM已经准备「全面性量产」，并提供LPDDR5X跟DDR5的样品，会先在日本量产，尔后台湾厂区也会导入量产，然后陆续才是其他区域的厂区，而首个终端应用产品将是高端智能手机。

至于在SK海力士方面，公司高层也在先前4月间法说会上，表态将在2023年积极准备完善1b DRAM量产就绪，显见SK海力士即便在国内无锡厂DRAM受到美国政府EUV曝光机断供掣肘，无法推进到1a EUV曝光，但该公司在韩国晶圆厂DRAM投片已然受惠于1a纳米微缩，增加获利，如今，也将积极转向1b量产准备。

相较之下，也就剩下DRAM三雄的最大咖三星，对于1b DRAM量产时间，必须有所交代。而导入ASML最新EUV曝光机台的1b纳米制程，恐怕也是三星资本支出不能手软的原因之一了。

责任编辑：陈奭璁