SK 海力士展示 300 层堆叠 3D NAND Flash

日前第 70 届 IEEE 国际固态电路会议 (ISSCC)，南韩存储器大厂 SK 海力士展示最新 300 层堆叠第八代 3D NAND Flash 快闪存储器原型，令与会者大吃一惊。SK 海力士发表会标题为“高密度存储器和高速介面”，描述如何提高固态硬盘性能，同时降低单 TB 成本。新 3D NAND Flash 快闪存储器预定两年内上市，有望打破纪录。

外媒报导，SK 海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代 3D NAND Flash 开发，提供 1TB（128GB）容量，20Gb/mm2 单位容量、16KB 单页容量、四个平面和 2,400MT/s 的介面。最大资料传输量达 194MB/s，较上一代 238 层堆叠和 164MB/s 传输速率的第七代 3D NAND Flash 高 18%。更快输入和输出速度，有助 PCIe 5.0 ×4 或更高介面利用率。

SK 海力士研发团队说，第八代 3D NAND Flash 采用 5 项新技术。首先，三重验证程式 (TPGM) 功能可缩小单元阈值电压分布，并将 tPROG（编程时间）减少 10%，转化成更高性能。其次，采用 Adaptive Unselected String Pre-Charge (AUSP) 技术，再将 tPROG 降低约 2%。第三，APR 方案可将读取时间降低约 2%，并缩短字线上升时间。第四，编程虚拟串 (PDS) 技术可藉由降低通道电容负载缩短 tPROG 和 tR 的界线稳定时间。最后，平面级读取重试 (PLRR) 功能，允许不终止其他平面下，更改平面的读取等级，立即发出后续读取命令，提高服务质量 (QoS)，提高读取性能。

由于新产品还在开发，SK 海力士尚未透露量产时间。尽管如此，分析师仍预估最早 2024 年有变化，最迟 2025 年出现。