中国记忆体龙头距离美韩3大厂技术仍有差距

在ChatGPT时代，长江存储与长鑫存储和国外大厂的差距可能会再次拉大。加上美国的出口限制，长鑫存储根本无法继续追赶。

随着全球领先企业如美光、三星和SK海力士等采用尖端技术，中国追赶的能力受到美国制裁的阻碍，中国加入世界顶级记忆体晶片制造商、并想用国内本地产品替代进口的想法，面临越来越大的风险。

中媒南华早报指出，据分析师和业内人士表示，这种趋势可能进一步严重阻碍中国开发大型人工智慧（AI）模型的能力，因为中国已依赖辉达等美国供应商提供符合制裁规定的图形处理器（GPU）版本。

不久前，中国在先进的3D NAND快闪和DRAM记忆体晶片领域，还被认为正快速追赶国际供应商，但在ChatGPT时代，长江存储和长鑫存储与国外大厂的差距可能会再次拉大。加上美国的出口限制，长鑫存储根本无法继续追赶。

相比之下，美光上个月发布支持生成式人工智慧应用的高频宽HBM3 Gen2晶片记忆体样品，该公司被中国当局禁止向一些本地客户销售某些产品。

三星电子上月表示，已完成用于AI应用的GDDR7 DRAM的开发，并将在2024年加倍加大高频宽记忆体的投入，以满足AI应用不断增长的需求。与此同时， SK海力士以50%的市占位居全球HBM市场榜首，明年其AI伺服器的HBM产量也将增加1倍。

HBM是一种针对人工智慧创新而优化的先进DRAM，仅由美光、三星和SK海力士制造。

分析师和行业专业人士指出，美光、三星和SK海力士仍然是许多下游买家的选择，而近期北京对美光的限制措施，让两个韩国竞争对手受益。一家生产商的高管表示，美光的替代品的首要选择仍然是三星和SK海力士。由于此事的敏感性，该高管要求不透露姓名。

在激烈的全球AI竞赛中，从百度、阿里巴巴集团到腾讯和京东等中国大型科技公司都渴望开发生成式人工智慧模型，从而为A100和H100等辉达GPU创造了黑市供应。

据统计，在中国市场，长江存储在NAND快闪销售中占据约3%的市占，美国制裁损害其先进NAND产量，而长鑫存储则拥有21%的DRAM产能市占，是中国DRAM制造商中最高的。