SK海力士开始送样12层HBM4E

据报道，SK海力士近日宣布，已向核心客户交付12层HBM4E（第四代高带宽内存扩展版）样品。此款动态随机存取存储器主要面向人工智能领域的高性能计算需求。

该公司指出，基于此前在高带宽内存研发与制造方面积累的经验，此次样品交付顺利完成，后续将与下游客户保持密切沟通，以保障该产品按计划实现量产。

在技术参数方面，相较于前代HBM4产品，新款HBM4E的引脚数据传输速率最高可达16Gbps，同时能源利用效率提升逾20%，从而增强了人工智能模型训练与推理阶段的数据吞吐能力。此外，借助新型接口与架构设计优化，该芯片降低了数据交互延迟，在超高带宽场景中依然能维持稳定状态，有望改善新一代人工智能数据中心及大型计算集群的运行效率。

在封装工艺上，该内存产品应用了批量回流模塑底部填充（MR-MUF）技术。所谓批量回流模塑底部填充，是指在堆叠半导体芯片后，向其间注入液态保护材料并使其固化，以保护内部电路。通过12层芯片堆叠，单颗容量达到48GB，并增强了物理结构的可靠性。数据显示，其热阻较HBM4下降约17%，有助于在高性能计算负载下维持适宜的工作温度。

SK海力士首席开发官安炫表示，公司将把此前在HBM3、HBM3E及HBM4系列上具备的制造与供应能力延伸至HBM4E产品线，并协同合作伙伴应对人工智能系统面临的硬件瓶颈，推进下一代计算基础设施的建设。