化合物半导体旺 环球晶：资本支出年年倍增

第三类半导体是环球晶新生力军。李建梁摄

环球晶董事长徐秀兰指出，化合物半导体需求旺，环球晶的相关订单需求成长速度、大于产能增速。所以，近年来，每年资本支出以倍增的速度在成长，但2023年其实支出超出倍增，主要为加速满足客户需求。

徐秀兰说，上述情况最明显就是碳化矽（SiC）材料。由于环球晶的定位清楚，只提供上游材料、即磊芯片，下游客户端反而更为依赖，使下单的成长量超出预期。尤其环球晶也会依各客户不同技术需求、进行量身打造及保密。

由于诸多SiC厂规划，是从材料一路延伸到下游IDM厂，这使得下游元件客户担心未来有天彼此将转为竞争关系。但对环球晶就不会有这层顾虑。

目前SiC的长晶量产技术挑战大，是产业链最大的发展瓶颈；诸多业者实际产出、营收亦难呈现。徐秀兰指出，环球晶在SiC除了每年资本支出倍增、出货量、营收也都是倍增在成长。

外传国内不少SiC磊晶厂扩产都受限于相关设备不足的影响，徐秀兰指出，环球晶的SiC磊晶设备因为很早就下单，目前供应商依着约定好的时间供货，2023年将以1季1台的速度供货，若有延迟，1年也至少3台供货量。

至于氮化镓（GaN）部分，客户需求也维持高档。不过，由于美国人力短缺等因素，在建厂上会有小担搁。

至于上述提及的设备产能、营收、出货量等详细数字，徐秀兰说，相较主流矽基硅片占比仍低，属于初萌芽期，所以，不公布相关数字。

矽基晶圆部分，用于功率元件领域的区熔法（FZ）硅片，亦与上述化合物半导体情况相似，产能增的速度、不及客户下单速度。主因功率领域包括工业用、汽车用、能源用等需求佳。

徐秀兰说，上述三大领域是目前需求最旺盛的领域。反观消费性、资通讯等3C领域的需求降温明显，不过，目前客户库存水位接近低档，整体环境逐步趋于健康。

以SiC、GaN等第三类半导体，主要用于功率元件领域，企图取代主流矽基的相关产品，尤其被认为更适于未来性产业发展，包括5G、AiOT、新能源、未来车等领域。

责任编辑：张兴民