SweGaN完成1200万欧元融资，计划扩大产能

此次融资由英特科技风险投资公司、威尔逊山风险投资公司和欧洲投资者大西洋大桥共同牵头，瑞典STOAF和联发科参与，形成了一个横跨美国、欧洲的全球网络。英特科技风险投资公司的Fred Chang、大西洋大桥的David Lam和半导体制造高管Walter Wohlmuth已经加入了SweGaN的董事会。

SweGaN AB公司主要是生产用于电信、卫星、国防和电力电子应用的碳化硅（GaN-on-SiC）外延晶圆（基于独特的增长技术）的定制氮化镓。

SweGaN认为，其GaN外延工艺的性能在数十亿美元的基于GaN的射频（RF）和电力市场中开辟了新的应用。据称，凭借其获得专利的QuanFINE无缓冲氮化镓-on-SiC外消旋体，客户可以达到以前市场上传统材料无法实现的设备性能和可靠性水平。该公司拥有30多家付费客户，并有资格在欧洲，美国和亚洲进行广泛的应用。

这项投资使SweGaN能够显着提高生产能力，以满足5G基站，国防雷达，低轨道卫星通信和电动汽车（EV）车载充电器的主要供应商的市场需求；扩大执行团队并增加工程，销售和生产人员。

结合此次投资，从9月1日起，首席技术官Jr-Tai 'Ted' Chen（他于2014年共同创立了SweGaN并发明了其专有的QuanFINE技术）被任命为首席执行官，取代董事长Jonas Nilsson（自2020年秋季以来一直担任临时首席执行官）。

Nilsson说：“我期待我们继续共同努力，以实现SweGaN的战略，愿景和面向未来的目标，即以市场上最好的碳化氮化镓技术为行业服务。“自从创立SweGaN以来，Ted表现出了非凡的决心，激情和专业成长，他完全有能力领导SweGaN进入下一个篇章，成为GaN-on-SiC市场的主导者，”他补充道。

“随着我们从硅转向第三波半导体材料，GaN和SiC有望占据主导地位，”大西洋大桥的普通合伙人David Lam认为。“SweGaN革命性的SiC氮化镓技术将这两种关键材料结合在一起，实现了当今根本无法实现的射频和功率性能特征，”他补充道。

“这一轮战略融资使我们能够将SweGaN提升到一个新的水平，并在我们的增长过程中超越，并使我们能够执行SweGaN的愿景和战略，”Jr-Tai Chen说。“为了满足爆炸性的市场需求，SweGaN的路线图旨在建立新的生产设施并扩大我们的团队，以便每年提供数以万计的epipwafer，”他补充道。

“我们很高兴欢迎经验丰富的半导体投资者大西洋桥和全球无晶圆厂半导体领导者联发科技成为SweGaN的投资者，”威尔逊山风险投资公司普通合伙人Richard Weil评论道。“我们很高兴能够支持SweGaN在其行业领先的外延技术的开发和商业化的早期阶段。现在，通过这笔融资，SweGaN可以获得扩展到下一个水平所需的财务资源和行业经验。