佳恩半导体再获投资，加大功率半导体器件的研究！

4月8日，青岛佳恩半导体有限公司（以下简称“佳恩半导体”）宣布再次完成数千万元A轮融资。由山东毅达创业投资基金合伙企业（有限合伙）独家投资，融资资金将主要用于加速功率半导体芯片研发、加快产线建设及人才团队组建。

值得注意的是，2021年12月，佳恩半导体完成Pre-A轮融资，投资方为青创投和阳光创投。融资的资金将主要用于加大功率半导体器件的研究开发和团队建设。

佳恩半导体成立于2015年，致力于新一代的功率半导体技术设计，拥有领先的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率半导体芯片的设计和工艺集成技术，并建有完整的产品性能测试、应用及可靠性试验室，产品已广泛应用于变频器、电焊机和新能源汽车等领域，实现国外产品的进口替代。

据青岛智造消息，半导体的性能在很大程度上由材料决定。从整个半导体行业演进的进程来看，以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体材料正走向舞台中央。

由于它们有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性，因此更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件。这意味着，IGBT等功率半导体就是第三代半导体材料的最理想应用领域之一。

佳恩半导体创始人王丕龙表示，第三代半导体的成熟至少还要3-5年时间，这个时间窗口期足够佳恩半导体完成技术储备布局。

发力第三代半导体也将有助于佳恩半导体加快在技术水平上实现对国外企业的赶超。尽管国内功率半导体行业近年来有了长足进步，但整体来看国产IGBT芯片仍比国外落后一代。而基于我国在第三代半导体领域的专利以及人才积累，第三代半导体被普遍认为是国内企业换道超车的好机会。

 “我们会坚持将每年销售额的10%到20%投入到研发中，在技术上不断突破和创新。”王丕龙表示。（文：化合物半导体市场 Arely整理）

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