台亚力拼转型类IDM SiC、GaN 2023年底送样

传感半导体大厂台亚(原光磊)朝向化合物半导体营运转型，新任总经理衣冠君表示，将抢攻次时代传感元件于工业应用、电动车电源、传感芯片等利基市场，锁定开发高电子迁移率晶体管(Power HEMT)。

2021年刚成立的转投资公司积亚半导体，将投入碳化矽(SiC)领域的高功率元件，初期规划产能约为3,000片，预计台亚与积亚将于2023年陆续进行氮化镓(GaN)及SiC的送样验证，展望2022年下半，随着客户订单仍佳及传统旺季，下半年营运可望优于上半年。

受惠于传感元件与不可见光产品价格调涨且出货畅旺，2021年台亚在营收与获利均创下新高，衣冠君表示，除在既有传感元件与不可见光业务维持优势外，目前转型朝向半导体产业发展，扩大招募半导体专业经理人及研发人员加入团队，成为第三类半导体的「类IDM」厂商为目标，积极投入GaN解决方案。

过去光磊时期累积丰富的三五族累积研发能量，在跨足半导体后将延伸至投入GaN发展，衣冠君指出，希望在矽(Silcon)基础的产业上，结合原有的光电产业发挥最大效益，目前已具备GaN磊晶和封测的能力，并且拥有相关的人才，未来希望和IC设计业者合作，成为第三类半导体中的「类IDM」业者。

台亚提出的「类IDM」策略是由台亚负责定义规格，并由IC设计业者帮忙设计适合的IC，由于台亚在最上游的晶圆与全球LED龙头日亚化(Nichia)紧密合作，同时本身也掌握上游磊晶、封测能力，现在只缺IC设计和一些关键设备导入，至于终端产品则看客户，期望未来有机会打入日亚化的供应行列，进一步进入欧洲车厂供应链。

衣冠君指出，2022年将开始投资设备，并进一步规划于下半年扩大台亚现有厂房洁净室区域，预计2023年底前开发高电子迁移率晶体管样品，并进行送样验证，其功率范围约650V左右，着眼于电动车、充电桩或太阳能相关应用。

针对SiC部分，将由旗下积亚负责主导技术及布局，未来将会先完成小型产线生产功率元件，年产能约3,000片，而台亚将负责GaN功率器件，其相对于矽基的元件可以耐更高的电压，比起SiC元件有更低的功耗，将主攻充电桩市场，未来将结合SiC与GaN，以发展出高频、高效的射频器件及模块。

台亚于2022年将投入8亿元扩产高端产品，包括高效能光耦元件、长波长VCSEL/LED、与长波长PD等，新产能自2022年上半开始拉升。

衣冠君表示，台亚在长波长产品的布局已经一段时间，尤其是长波长的发射端产品，已有样品送出验证阶段，而搭配接收端的器件也会持续扩大，目前产品发展符合进度，应该在2022年有初步测试结果，至于VCSEL在2022年小量生产，看好穿戴装置导入健康管理的趋势成长，备受关注的非接触式的血糖侦测的原型产品已经完成，但牵涉到医疗验证的时间将会比较久。

责任编辑：朱原弘