三星攻克3nm良率“难关”

最近一段时间，三星的新工艺负面新闻不断。之前有消息称由于良率以及散热问题，导致大客户英伟达和高通转单。

不过据快科技报道，在最近三星管理层向董事会的报告中，表明其3nm工艺已经量产，最关键的良率也在改善中。

从具体数字来看，三星提及，与7nm制造工艺相比，其3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，从纸面参数上来说要优于台积电3nm FinFET工艺。

三星还表示，5nm工艺已经进入成熟阶段，还在扩大服务，4nm工艺虽然良率提升过程出现了延迟，但已经进入了预定的良率曲线，未来的3nm工艺还在准备设立一条新的研发生产线。

在近日举办的第一季度财报电话会议中，三星半导体代工事业部副总裁表示，预计第二季度半导体代工市场仍将延续供不应求的局面，三星将继续提高先进制程良品率率，积极响应大客户需求，努力扩大供应和增加全球客户订单。此外，公司计划在第二季度完成第一代GAA工艺质量验证并在行业内首次实现量产，以确保技术领先于竞争对手。