封装地位水涨船高 英特尔、台积电资本支出胜群雄

随着数据中心、网络连结、高效能运算(HPC)、自驾车等技术不断发展，云端、边缘和终端设备拥有更大运算资源的需求也在持续扬升，推动高效能封装(High-end Performance Packaging)的采用。

调研机构Yole Developpement表示，高效能封装平台包括超高密度扇出封装(UHD FO)、崁入式矽桥(Embedded Si bridge)、矽中介层(Si Interposer)、3D堆叠(3DS)存储器，和3D系统单芯片(3D SoC)等多种技术。

目前高效能封装在整体封装市场中的规模占比仍低，却是协助半导体产业超越摩尔定律(More than Moore)的关键解决方案之一，具有重大影响力。预估全球高效能封装市场规模会由2021年的27.4亿美元，成长为2027年的78.7亿美元，合计2021～2027年市场规模年复合成长率(CAGR)为19%。其中UHD FO、高带宽存储器(HBM)、3DS、主动式矽中介层(active Si Interposer)为推动高效能封装市场规模成长的主要力量。预估2027年上述技术市场规模将占整体市场规模半数以上。单就市场规模成长速度而言，则是以崁入式矽桥、3D NAND、3D SoC与HBM成长最快，2021～2027年CAGR均高於20%。

随着先进封装业者纷纷意识到，高效能封装在对抗摩尔定律放缓上的重要性，也开始扩大高效能封装资本支出。数据显示，2021年包括英特尔(Intel)与台积电等在内的主要先进封装业者，在高效能封装上的合计资本支出为119.09亿美元。其中英特尔在自家3D堆叠技术Foveros、2.5D封装解决方案EMIB，以及结合Foveros与EMIB的Co-EMIB(应用於Ponte Vecchio GPU)等平台上的合计资本支出为35亿美元，居各业者之冠。此外，该公司还计划在新的Foveros Direct技术中带入混合键合技术。

台积电2021年高效能封装资本支出为30.49亿美元，排名第二。该公司在运用自家整合式扇出型封装(InFO)解决方案，争取更多UHD FO业务的同时，也在发展新的3D SoC技术路线图。此外，台积电CoWoS先进封装平台提供RDL或Si Interposer解决方案，本地矽互连(LSI)封装技术平台则是EMIB技术的直接竞争对手。

2021年日月光／矽品、三星电子(Samsung Electronics)高效能封装资本支出分别为20亿与15亿美元，排名第三与四。目前日月光／矽品不但是唯一能够提供UHD FO解决方案的封测代工业者(OSAT)，也是唯一试图在高效能封装领域与整合元件制造业者(IDM)和晶圆代工业者竞争的OSAT。三星为3D堆叠存储器解决方案领导业者之一，可应用在HBM与3D NAND等产品中。该公司I-Cube技术类似於CoWoS-S，其X-Cube则是使用混合键合互连技术。

责任编辑：张兴民