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来源:第三代半导体风向发布时间:2022-03-0414浏览
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● 江西:将建6英寸汽车级氮化镓晶圆项目,计划投资25亿元;
● 安徽:氮化镓单晶项目已选定厂房。

江西新余新增汽车氮化镓项目
2月16日,江西新余举行“省市县三级项目协同联动开工”暨2022年“项目大会战”动员大会,此次共有28个重点项目集中开工,计划总投资305.1亿元。其中涉及1个氮化镓项目,计划投资25亿元。
据悉,“氮化镓晶圆汽车芯片”为小米生产基地——笠德百亿工业园项目的二期项目。笠德百亿工业园项目由深圳创京科技投资兴建,总投资103亿元,占地面积400亩。该项目分三期建设,其中二期6英寸硅基氮化镓晶圆项目,计划投资25亿元。
安徽:氮化镓项目已选定厂房
据池州日报2月24日报道,安徽省皖江集中区坚持高质量发展定位,把“双招双引”作为经济发展“一号工程”。其中,皖江集中区将引进5个省、市人才团队,而乔焜博士氮化镓项目在此次“双招双引”中势头强劲。目前,乔焜博士带领的氮化镓项目已选定厂房,氮化镓研究院正进行装修工作。“三代半风向”此前介绍过,乔焜博士在2020年6月申请了一项专利《一种氮化镓单晶生长装置及生长方法》,可实现4英寸及以上氮化镓单晶的规模化生产,进而大大降低氮化镓单晶成本。插播:更多全球GaN产业布局,尽在《2021第三代半导体调研白皮书》,扫码可抢先阅读!
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