8吋SiC正式出货！全球已有11家企业

不仅沟槽SiC MOS有了新玩家，8吋SiC也新增了一家企业！

昨天，昭和电工宣布，他们已成功产出8英寸SiC外延片，并开始提供样品，而且采用的是自产的8英寸SiC衬底。
据公开报道，目前全球已有11家企业宣布成功研发8英寸SiC衬底，其中有3家将在明年量产。
来源：《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》

昭和电工：

8吋SiC外延片开始出货

9月7日，据昭和电工官网消息，他们200mm（8英寸） SiC 外延片样品已开始出货，该大直径SiC外延片是基于其内部生产的SiC单晶衬底进行开发的。昭和电工表示，他们的SiC外延片市场占有率已居世界第一。该公司于2021年开始全面开发8英寸碳化硅外延片，并开始同步使用其内部生产的8英寸SiC衬底进行SiC外延片研发并出货样品。昭和电工表示，他们一直致力于使用本公司的衬底进行产品开发，旨在扩大200mm SiC外延片的生产，建立稳定的供应体系，进一步提高产品质量。

SiC外延片（左150mm，右200mm）

值得一提的是，今年5月，昭和电工宣布将参与日本新能源和工业技术开发组织（NEDO）的绿色创新基金项目，提出了“开发用于下一代绿色功率半导体的SiC晶片技术”的计划，目标是将SiC外延片和SiC衬底的直径增加到8英寸，并将缺陷密度降低一位数以上。他们将利用本次出样的8英寸SiC外延片积累的知识和成果，实现上述计划。

投资3.4亿扩产

扩大SiC衬底产能

昭和电工在碳化硅领域一直是“稳中求进”，除了在8吋碳化硅上实现大突破，今年3月底，他们的6吋碳化硅衬底也宣布量产。
而近些年来，昭和电工也多次进行了碳化硅扩产。去年8月，他们发行3519万股新股，筹得约64.56亿人民币资金，其中约700亿日圆（约41.35亿人民币）将用于扩增SiC晶圆等半导体材料产能。从昭和电工公布的计划投资细则来看，用于碳化硅衬底等方面扩产的资金约为58亿日圆（3.4亿人民币），扩产项目预计2023年12月完工。

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