三星正开发160层第七代 V-NAND闪存，改用双堆栈创造世界第一？

目前三星已取得了重大进展，并且已经加快了开发进程。此前，三星一直在用单堆栈技术来生产 3D 闪存，而第七代 V-NAND 将会改用双堆栈技术，以便制作更高层数的 3D 闪存。

其实东芝与西数的 BiCS 5 闪存就是使用两层 56 层的堆栈合在一起组成一个 112 层堆栈的芯片的。去年 SKHynix 宣布正在研发 176 层堆栈的 4D 闪存，不过他们家的闪存结构甚至命名都跟其他厂商有所不同，不能单看层数高低。

每家的技术方案都不同，美光、SK 海力士有 128 层的，Intel 的是 144 层，而且是浮栅极技术的，三星去年推出的第六代 V-NAND 闪存做到了 136 层，今年也是量产的主力。

三星在 NAND 闪存行业占据了超过 1/3 的份额，实力是最强的，不出意外 160+层堆栈的闪存应该也会是他们首发，继续保持闪存技术上的优势，拉开与对手的差距。

此外，上周我国的长江存储公司宣布攻克 128 层 3D 闪存技术，QLC 类型容量做到了 1.33Tb 容量，创造了三个世界第一。