中国国产DRAM芯片添新成员 融资33亿2021年量产

综合媒体1月2日报道，北京兆易创新科技股份有限公司（下称兆易创新）透露，该公司最早将于2021年完成其首款DRAM芯片的封装测试以及客户验证，测试成功后将进行大批量产。除此之外，其多系列DRAM产品将在2025年之前陆续完成研发及量产。

在此前的9月30日，兆易创新发布的《非公开发行A股股票预案》中介绍称，该公司拟募集资金33.2亿元人民币（1元人民币约合0.14美元）用于DRAM芯片研发及产业化项目，还有10亿元将用于补充流动资金。

兆易创新还称，DRAM作为集成电路领域通用芯片，产品标准化，非常适宜于迅速扩张，项目完成后，该公司将掌握DRAM技术、具备DRAM产品设计能力，竞争力及行业地位将得到提升。

据悉，成立于2005年的兆易创新最初起步于闪存芯片设计行业，主营业务为闪存芯片及其衍生产品、微控制器产品、传感器模块的研发、技术支持和销售。

而DRAM是芯片产业中产值占比最大的单一品类。其作为最常见的内存芯片，被喻为连接中央处理器的“数据高速公路”，广泛应用于高性能计算、工业设备、消费电子等电子产品之中。

目前，中国是DRAM芯片的全球最大市场，2018年，中国芯片进口额超过3,000亿美元，这个单一品类就占到了其中的两成以上。但在这一领域，三星、海力士、美光等企业在华占据主导地位，这也使得DRAM成为我国受外部制约最为严重的基础产品之一。

自中国科技企业中兴、华为遭美制裁后，中国民众更希望借机实现“弯道超车”，赶上世界先进水平，中国芯片厂商也不断加大研发投入。

2019年9月，总投资约1,500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。

此外，中国芯片企业紫光集团亦开始发力DRAM领域。紫光拟在重庆建设DRAM存储芯片制造工厂，主要制造12英寸的DRAM存储芯片，2021年建成投产。