格芯最先进FinFET工艺12LP＋大功告成：性能增加20%

虽然几年前格芯（Globalfoundries）已经放弃了对于10nm以下先进制程的研发投入，同时还积极削减投资，出售一些晶圆厂。不过，对于现有的工艺，格芯也还是有在持续优化。

近日，格芯宣布其最先进的FinFET制程工艺12LP＋大功告成，并准备正式投产。按照格芯的说法，12LP＋相较于12LP，性能增加了20%、规模面积减少了10%。这些指标的提升，主要得益于性能驱动的区块优化组件、独立鳍片单元、新的低压SRAM和改进的模拟布局设计法则等。

目前，12LP＋已经在AI训练芯片领域通过了IP验证，可减少生产成本、创造更大价值。

另外，格芯也在丰富12nmLP＋的IP组合包，目标包括PCIe 3/4/5、USB 2/3主控芯片、HBM2/2e显存、DDR/LPDDR4/4X芯片、GDDR6芯片等。

据悉，12nmLP＋将主要在美国纽约州Malta的Fab8工厂生产，下半年内会有不止一套方案流片。

编辑：芯智讯-林子    来源：快科技