英特尔完成微电子原型项目，美国先进工艺加速量产

近期，英特尔代工（Intel Foundry）对外宣布，其主导的“快速可靠微电子原型-商业”（简称RAMP-C）计划已顺利收官。该计划自2021年秋季启动，核心目标是推动美国本土先进CMOS工艺及制造实力的提升，从而为构建安全可靠的本土芯片生产体系打下根基。

据美国国防部微电子项目负责人Eric Makara透露，双方通过RAMP-C计划的深度合作，已经成功研发出关键的本土前沿半导体技术及相关设计支持基础设施。这一成果使得国防工业基地及商业企业可以在美国本土完成高可靠性芯片的设计与生产，进而增强军事作战效能。

据悉，该计划分为三个主要阶段推进。在初期的基础建设环节，重点研发了先进工艺节点、知识产权（IP）模块及设计工具，协助客户筹备测试芯片的流片工作。随后的扩展与导入环节，不仅吸引了首批商业与国防客户，还针对18A工艺完善了IP与生态解决方案。在最后的先进原型与制造环节，英特尔协助首批国防客户完成了产品原型的流片与验证，证明了其具备安全规模化量产的条件。

作为美国本土唯一具备先进工艺研发与制造能力的半导体企业，英特尔借此合作契机，与美国国防部共同加快了技术迭代，打通了从设计支持到量产准备的标准化流程。目前，英特尔代工正全力冲刺18A工艺的大规模量产，以期实现具备扩展性的可靠生产，并协助全球供应链向更安全的芯片来源转移。

依托RAMP-C计划积累的技术底蕴，Secure Enclave项目进一步拓展了针对美国政府的先进工艺芯片安全制造规模。同时，该项目还结合了“最先进异构集成封装”（SHIP）计划，凸显了双方持续强化本土芯片制造实力的合作意图。

整体而言，RAMP-C计划已成功从生态建设跨越至原型验证阶段。通过引入RibbonFET与PowerVia两大核心技术，18A工艺在晶体管密度与能效比上实现了显著跃升。这不仅让国防客户能够提前布局18A工艺，满足严苛的尺寸、重量与功耗指标，还确保了关键任务系统在不牺牲安全性和供应链稳定性的前提下，顺利完成前沿芯片的研发与部署。此外，这些由美国主导的计划也为国际盟友提供了一种协作范本，有助于共同维护全球供应链的韧性。