首先，在政府大力扶植自主创新方面，在中国积体电路已有一定的发展基础后，提倡技术或规格的自主创新将是行业发展必经之路，毕竟从过去联想与华为两家公司的经营成效可知，联想选择模仿和购併的发展模式，华为选择自主创新的策略，后来华为发展远快于联想，显示中国半导体行业将从跟随战略转向创新跨越，在全球产业创新链中形成自己的特色。
其次在超越摩尔定律方面，主要是基于物联网的发展，MEMS与积体电路的融合将是趋势，甚至未来半导体产业驱动模式将从过去技术驱动转变为技术集成、产业链生态体系整合驱动的模式。
中国半导体行业在2016年将以记忆体为发展重点，最主要是记忆体与微处理器是发展半导体业不能或缺的领域，况且记忆体市场的仍具成长潜力，特别是中国切入记忆体市场更有其优势，包括进口替代空间大、产业转移、政策大力支持等，而预计2016年武汉新芯、同方国芯、兆基科技（合肥Elpida）将携手挑起中国记忆体产业的发展大樑，填补最为空白的领域。
其中，同方国芯于2015年11月宣佈定向增资800亿元人民币，主要佈局Nand Flash相关的技术与专利、製造工艺等，包括记忆体晶片工厂的建立、收购力成与南茂25％股权、产业链上下游的收购等；尔后2016年3月底武汉新芯举行东湖记忆体项目动工仪式，该专案由国家积体电路产业投资基金（大基金）、湖北省积体电路产业投资基金、国开发展基金、湖北省科技投资集团共同出资建设，专案总投资将达240亿美元，未来投入将以3D NAND Flash产品为主，预计产能可望达30万片，目标最快2018年年初开始生产；至于合肥政府携手尔必达460亿人民币建10万片/月低功耗记忆体晶圆厂，2018年下半年量产。
事实上，中国企业在佈局记忆体产业优先选择3D NAND Flash而不是DRAM，最主要是由于NAND Flash未来市场成长性优于DRAM，特别是在传统硬碟转向固态硬碟的趋势显着、数据中心建设等环境带动下，未来NAND Flash的用量将快速提升，加上NAND Flash适逢技术由平面NAND Flash技术架构转至3D NAND Flash之时，给予中国业者切入发展的契机。
整体而言，虽然受到中国经济成长趋缓的影响，使得2015年、2016年中国积体电路市场规模呈现增长减缓的格局，不过整体增幅分别为6.07％、5.49％仍是高于全球的水準，最主要是受惠于全球半导体产业转移至中国态势显着，加上中国国家政策扶持态度坚定，使得生产与融资环境趋于完善，且结构深度也加速调整，更何况中国积体电路产业的进口替代空间超过2，000亿美元/年，此为其他电子产品难以复製，意谓中国半导体业正适逢本土配套和进口替代黄金机遇期。
