台积电20纳米 提前一季投片

    　台积电20纳米已经研发完成，正在积极建置20纳米生产线，包括竹科超大型晶圆厂（GigaFab）Fab12第6期，以及南科Fab14第5期及第6期。台积电原本预计今年第4季才会开始投片，明年首季进入量产阶段，但赛灵思提前在第3季宣布20纳米芯片开始投片，代表台积电20纳米投产进度已较原本规画提前一季进行。

    　赛灵思宣布，20纳米PLD芯片及全编程元件已经开始在台积电投片，同时，赛灵思亦着手建置业界第一个特殊应用芯片（ASIC）等级可编程架构UltraScale，将由28纳米快速转进20纳米世代。同时，最新开发的UltraScale架构可将20纳米平面制程，扩展至16纳米及更先进的鳍式场效晶体管（FinFET）技术，并可从单芯片进展到3D IC。

    　业界人士认为，在赛灵思的协力合作下，台积电今年底应该可开始进行16纳米试产，成功将20纳米微缩至16纳米的时间提前一年，亦即2015年就会如期进入16纳米FinFET量产，台积电与英特尔间技术时间差距，将因此缩短到1年，如此一来就不必再怕英特尔抢单。