DRAM现货价涨 后市还待观察

日韩贸易摩擦，引发存储器喊涨效应，存储器景气是否提早翻多，还待观察。

日本对南韩实施限制三项电子关键材料出口，引起后续材料恐短缺疑虑，激励DRAM与NAND Flash现货价应声上涨，带动南亚科、旺宏、华邦电等存储器族群昨股价带量上涨，这是存储器史上第一次因贸易摩擦引发价格看涨，但存储器景气是否提早翻多还有待观察。

存储器模组大厂威刚董事长陈立白表示，日韩贸易摩擦牵动存储器价格上涨，这种情况为史上第一次。1993年间，日本住友化学曾爆发环氧树脂厂爆炸、造成封装材料短缺，意外事件牵动韩国、日本、美国与中国台湾大厂DRAM价格大涨。

至于此次日本对南韩实施限制三项电子关键材料出口，业界传出，龙头大厂三星评估对上游材料料源还无法明确掌握，已对现货市场停止出货；美光近两天也已停止报价。陈立白原预估今年第三季DRAM可望因旺季出现现货价小涨，明年才可能大涨，但受到日韩贸易战冲击，他昨改口说，「7月提早起涨，8、9月也都看涨」。

业界看法分歧

但业界有的持保守看法。因存储器市况供过于求，加上三星电子副会长李在镕亲自赴日协商材料供货也传出有解，影响DRAM现货价昨仅出现小涨，存储器后续涨价效应还有待观察。

南亚科总经理李培瑛日前也指出，DRAM三大供应商库存仍偏高，预估第三季逢旺季到来，整体需求会增加，但因消化库存，合约价格将续跌，不过跌势会缩小。对于日韩贸易战，李培瑛说，到底会是短期或可能长期纷争还需观察，未来几周是关键。一位供应链业者表示，上半年因美中贸易大战，存储器价格大跌，最近只能说止跌，回升还要看后续发展而定。

旺宏预计7月25日举行法说会，公布第二季财报与第三季展望。