三星展示全球第一颗3nm SRAM芯片，这是要赶超台积电吗？

过去几年三星比较郁闷，台积电在半导体技术领域，特别是芯片制程工艺上一直处于领先地位。台积电在5nm制程工艺芯片上大规模量产，技术成熟稳定，而三星在5nm、7nm制程工艺则显得很吃力。作为全球芯片制造遥遥领先的两强，难道三星要被台积电撇下了吗？

就制程工艺而言，目前看唯一能赶上台积电的企业就是三星，但是三星的工艺质量近几年一直受到质疑。

鉴于台积电早已宣布其3nm技术趋于成熟，并将于2022年开始生产时，三星却抛出了一个让人意外的消息。在IEEEISSCC的一个国际会议上，三星首次展示了其采用3nm制程工艺制造的芯片，即32GB的SRAM存储器芯片。要知道台积电现在也没有真正的3nm产品拿出来，难道三星这次要来个弯道超车？

在三星的技术路线图中，14nm、10nm、7nm和3nm都定义为新的制程工艺节点，而其他工艺节点则是在这几个节点上的升级和改进，包括11/8/6/5/4nm等。

三星将在3nm制程工艺上首次应用GAAFET（环绕栅场效应晶体管）技术，这是在晶体管结构上的新突破，与目前的FinFET三维晶体管相比有很大的提升。

GAAFET技术分为两种类型，一种是传统的GAAFET，使用纳米线作为晶体管的鳍片。另一种是MBCFET（多桥沟道场效应晶体管），使用更厚和更宽的鳍片。

三星的第一个3nmSRAM芯片属于MBCFET类型，容量为32GB，面积为56平方毫米。该芯片最显著的特点就是超低功耗，由于MBCFET技术可节省各种功耗，因此电压仅需为0.23V。

三星表示，与7LPP相比，3GAE工艺可以将晶体管密度提高80％，性能提高30％，功耗则降低50％！从这几个指标可以看出技术提升幅度之大。

这一次三星能不能更好地控制芯片功耗及热量产生，并避免之前遭遇的所谓“翻车”事件呢？

三星3nm芯片有望在明年投入量产，但他们尚未宣布哪些客户可能在其即将推出的产品上使用此工艺！明年如果台积电、三星的3nm芯片都能顺利量产，现在肯定分别早就有了潜在的客户。因为这样的先进技术研发，一定会有大客户一起参与的，正如台积电最新制程工艺研发过程中就有苹果的深度参与，当然5nm时华为也是其深度参与的合作伙伴。

台积电的3nm芯片，将继续使用FinFET技术。该技术据称可比5nm晶体管的密度增加70％，性能提高11％，功耗降低27％。台积电3nm芯片预计将于今年晚些时候试生产，并于明年投入量产。台积电的客户很多，包括苹果、AMD、英伟达、联发科、赛灵思、

看来芯片制造领域这两个大佬的竞争，还要更激烈。有新技术、更好的芯片研发出来，对我们消费者来说当然是好事。