三星有望登顶全球HBM市场份额第一

据韩媒Business Post援引美国投资银行Bernstein的最新预测，到2027年，三星电子在全球高带宽内存（HBM）市场的占有率预计将达到46%。这一数据不仅高于其2025年的28%和2026年的35%，也意味着三星将超越连续五年占据榜首的SK海力士。同期，SK海力士和美光的市场份额预计分别为37%和18%。自英伟达在AI加速器中大量采用HBM以来，这是首次有预测显示三星的市场份额将反超SK海力士。

三星能够实现这一目标的核心驱动力在于其第六代高带宽内存（HBM4）的竞争优势。在技术层面，三星率先在HBM4中引入了10纳米级1c DRAM工艺。与竞争对手目前使用的1b DRAM相比，1c DRAM的运行速度最高可提升20%，电源效率最多可改善25%。此外，在逻辑裸片（Logic Die）设计上，三星采用了自家4纳米晶圆代工工艺，而SK海力士则使用了台积电的12纳米工艺。

在量产与营收方面，有消息透露，三星已率先完成HBM4的量产并出货。量产仅四个月，其累计营收便突破了10亿美元（约人民币68.11亿元），2026年全年营收更有望超过100亿美元（约人民币681.12亿元）。

为了保障供应，三星正在积极扩充产能。目前，三星在韩国平泽园区P4工厂新增了用于HBM4的1c DRAM生产线，每月可生产10万片12英寸晶圆。同时，P5工厂的建设也提前了约半年，预计2026年7月动工，建成后最大月产能将达到30万片12英寸晶圆。

在价格策略上，由于近期常规DRAM供应紧张导致价格上涨，单片晶圆的利润甚至超过了HBM。因此市场预期，在2027年的供货谈判中，三星等厂商可能会将HBM4等全系产品的价格上调至2026年的2.5倍。据韩国有进投资证券预测，通过积极扩产和涨价，三星的HBM营业利润将从2026年的14万亿韩元（约人民币616.56亿元）或90.9亿美元（约人民币619.13亿元），大幅增长至2027年的88.2万亿韩元（约人民币3884.33亿元）。

注：按1美元≈6.81人民币，1韩元≈0.0044人民币计算。