在当前的3D NAND量产领域，SK海力士以321层产品保持着最高层数纪录。与此同时，长江存储正推进300层级别闪存的量产进程，并通过本土供应链支持不断提升产能与技术水平。据业界预计，若长江存储在2026年实现300层以上产品的规模化量产，市场竞争格局或将发生变化。
据韩媒ET News引述业界消息，三星电子近期采用单元多重键合（CMB）技术，把两片450层晶圆进行接合，从而完成了900层3D NAND系统的整合。在以往的单一堆叠工艺中，随着层数不断增加，晶圆翘曲以及对准偏移等物理限制逐渐显现。为突破这些瓶颈，三星在900层产品的研发中引入了改进的Upper Chuck设计来应对晶圆变形，并利用自研的覆盖校正技术修正键合过程中的微小对准误差。此外，全新的位线与字线结构也有助于缩小芯片面积并降低功耗。
三星方面透露，该900层原型产品已经通过了正常的存储单元运行特性验证，具备实际的运行能力。目前，三星正筹备在2026年量产第十代400层级别的3D NAND产品。此次在研发阶段完成900层技术的突破，展示了其在下一代闪存技术上的研发布局。自2013年首次实现3D NAND商业化以来，三星持续优化制造工艺以应对堆叠层数的物理极限。
