铠侠和闪迪第十代3D闪存送样，堆叠达332层

当前，人工智能大模型及向量数据库的发展促使企业级高密度存储需求不断增长，3D NAND闪存正步入高层堆叠的迭代阶段。据技术背景资料显示，CMOS直接键合到阵列（CBA）架构是铠侠在第八代产品中引入的关键创新。该工艺将存储阵列晶圆与逻辑CMOS晶圆分别制造后再进行键合，从而打破了传统单片晶圆的布线局限，显著提高了堆叠层数的上限。结合节距选通（OPS）技术以缩小单元间距，单位面积的存储容量得以进一步提升。第九代与第十代产品均延续了这一成熟的工艺体系，避免了重建全新产线工艺的需求，进而缩短了新产品产能爬坡的周期。

7月3日，铠侠与闪迪联合宣布，双方共同研发的第十代BiCS FLASH 3D闪存已启动工程样品的交付工作。据悉，首批提供的样品为1Tb TLC闪存芯片，采用了332层存储单元堆叠架构。官方披露信息显示，第十代产品全面继承了第八代引入的CBA与OPS两项核心底层技术，以确保在高层堆叠状态下存储密度、单元可靠性及功耗控制的平衡。在接口方面，该产品支持Toggle DDR6.0标准，最高传输速率可达4800MT/s。其存储密度超过29Gb/mm²，较第八代产品提升了59%。此外，功耗表现也得到显著优化，输出功耗减少34%，读取能效提高30%；输入功耗降低10%，写入能效提升18%。该产品兼容SCA与PI-LTT协议，主要应用于人工智能数据中心及企业级高性能固态硬盘市场。

在生产规划方面，位于日本岩手县北上的Fab2晶圆厂是铠侠与闪迪合资建设的先进闪存生产线，预计于2025年9月投入生产。该厂区被规划为专门负责高层数3D NAND闪存的生产任务，除了第十代产品外，还兼容第九代产品的制造。工厂内部配备了适用于300毫米高层闪存生产的沉积、刻蚀及键合等全套设备，具备CBA双层晶圆键合的量产能力。这也是铠侠在全球范围内唯一能够稳定且规模化生产332层BiCS FLASH闪存的制造基地。目前，行业内其他厂商如三星和SK海力士也在推进300层以上的新一代闪存研发，而铠侠与闪迪已率先完成第十代产品的样品交付与验证工作。