据韩媒Theelec、Herald经济等引述业界消息，美光全球运营执行副总裁Manish Bhatia在摩根大通投资者大会上透露，该公司第六代高带宽存储器（HBM4）的产能爬坡进度，比2025年的12层HBM3E快两倍，同时良率也在加速提升。此外，下一代HBM4E标准产品计划于2027年启动量产。
在产能扩充方面，美光正加大投入以缩小与SK海力士及三星电子的市场差距。据预测，在2026年年中之前，第9代NAND Flash与1γ工艺DRAM的比特出货量占比将超过总出货量的一半。特别是1γ工艺DRAM，有望成为该公司按晶圆总产能计算体量最大的单一DRAM工艺。
HBM4产能爬坡之所以能够加速，主要得益于三大因素。第一，前期HBM3与HBM3E的量产经验提供了显著的学习效益。第二，该产品的核心裸片应用了美光主力的1β工艺，不仅性能达标，良率也经过验证且表现稳定。第三，通过将1β DRAM与内部自主研发优化的基础裸片相结合，最大程度地提升了整体性能与完成度。
针对后续的HBM4E产品，美光在制造策略上做出了改变。其核心裸片计划转用1γ工艺进行生产，该节点与SK海力士及三星电子的1c工艺同属一个世代，并且是美光初次导入ASML极紫外光（EUV）光刻机的工艺。同时，基础裸片将停止内部制造，转而交由台积电进行代工。
据Manish Bhatia透露，HBM4E的研发工作推进顺利，定于2027年投入量产。届时，率先完成产能爬坡的将是符合JEDEC规范的常规标准产品。除此之外，美光还在筹备按客户特定需求打造的定制版产品。虽然定制版成本相对更高，但凭借性能的增强与功能的拓展，足以满足客户的差异化需求。
