美光重金扩充HBM4产能，英伟达新平台供应生变

英伟达（NVIDIA）新一代AI加速计算平台Vera Rubin最快将于2026年下半年出货，其搭载的第六代高带宽存储器（HBM4）供应情况备受瞩目。据摩根士丹利估算，VR200 NVL72机架的零部件成本约为780万美元（约5289.07万元人民币），相比前代GB300 NVL72的399万美元（约2705.56万元人民币）大幅上涨约95%。其中，存储部件的成本增幅最为突出，预计将从37万多美元（约250.89万元人民币）飙升至200万美元（约1356.17万元人民币）左右，涨幅高达435%，在整体机架成本中的占比也由9%左右提升至25%。这主要归因于对更高带宽HBM4的切换，以及大量LPDDR5X和3D NAND的采用。

在HBM4的供应格局方面，市场此前普遍预计SK海力士和三星电子将占据主导地位，部分机构预测SK海力士、三星和美光的市场份额分别为50%至70%、20%至30%以及10%至20%。然而，据韩国存储设备业界相关人士透露，美光在HBM4前后道工艺设备上的投资力度非常大，甚至超过了韩国厂商。从实际采购情况来看，美光不仅顺利通过了英伟达的认证，其在良品率和成本控制方面也表现出色，预计将为Vera Rubin平台提供规模可观的HBM4产品，实际供应比重有望超出市场预期。

在量产与扩产规划上，美光计划于2026年3月启动HBM4的量产与供货。美光全球运营副总裁Manish Bhatia此前表示，基于稳定且经过性能验证的1β工艺DRAM，美光HBM4的产能优化速度比2025年HBM3 12层产品快两倍，良品率也在快速提升。此外，美光正积极推进全球多地的产能扩充。业界消息称，爱达荷州博伊西工厂预计2027年投产HBM，月产能约2万片；纽约州雪城工厂规划于2029至2030年启动，月产能预计达30万至40万片。随着中国台湾地区、新加坡等地的投资项目陆续落地，美光的HBM产能将在未来两三年内实现大幅增长。

技术演进方面，从HBM4E开始，美光的核心裸晶将采用10纳米级1γ工艺进行量产，这也是该公司首次引入ASML极紫外光（EUV）光刻设备。同时，基础裸晶（base die）预计将由内部自制转为交由台积电代工。目前，三星已正式宣布向主要客户送样HBM4E，而SK海力士预计将在2026年下半年开始供应，新一代存储技术的竞争已全面拉开帷幕。

注：按1美元≈6.78人民币计算