据韩媒IT Chosun援引业界消息，三星电子近期在DRAM良率方面取得显著进展。其应用于HBM3E核心晶粒的1b DRAM良率已提升至92%，而用于HBM4的1c DRAM良率也突破75%。这一成果标志着三星在技术竞争力和量产能力上进一步巩固了行业领先地位。
然而，这一乐观局面可能因劳资冲突而蒙上阴影。据消息人士透露，三星半导体暨装置解决方案（DS）部门正面临工会计划于2026年5月21日发起的全面罢工。罢工一旦实施，可能导致半导体产线停摆，现有晶圆报废，甚至需要数月时间才能恢复正常生产。
此前，三星的1c DRAM良率一度陷入瓶颈，仅维持在60%左右。通过将良率改善专责小组部署至量产线，并同步推进产能扩张，良率才得以快速提升。知情人士表示，尽快将1c DRAM良率提升至与1b DRAM相当的水平，是三星当前的首要任务。
三星DS部门在2026年第一季度实现53.7万亿韩元的营业利润，占全公司总利润的94%。这一成绩得益于DRAM制程良率的飞跃性提升。然而，罢工可能使此前的努力付诸东流，甚至拖累与竞争对手的技术差距。
为应对潜在危机，三星已启动“暖机降载”措施，调整生产流程以减少损失。目前，公司正限制新晶圆的投入数量，并优先生产HBM等高附加值产品。尽管如此，产量缩减似乎难以避免，未来前景仍充满不确定性。
