铠侠与闪迪突破3D NAND技术，千层堆叠时代或将到来

据业内媒体披露，铠侠与闪迪在超高密度堆叠技术上取得重要进展，为全球3D NAND向300层及更高规格迭代提供了关键技术支持。双方通过晶圆间铜直接键合工艺，结合MSA-CBA多层堆叠单元阵列架构，首次成功完成QLC四级单元技术演示，为未来实现千层3D NAND奠定了技术基础。

从技术细节来看，铠侠与闪迪已公开MSA-CBA堆叠键合结构原理图，并展示了双片218字线阵列晶圆堆叠成型的显微实测影像，技术路径清晰且具备可落地性。据悉，这项突破性成果将于2026年夏威夷VLSI超大规模集成电路研讨会上正式发布。

铠侠与闪迪表示，新架构有效解决了长期制约3D NAND扩容的三大难题：存储单元电流衰减、制造过程中的晶圆翘曲问题，以及区块尺寸设计受限，为层数持续提升扫清了技术障碍。按照铠侠的技术规划，到2027年千层3D NAND有望实现量产，裸片密度将达到100Gbit/mm²。

与此同时，三星也在稳步推进千层3D NAND布局。其推出的多BV NAND架构采用双单元晶圆叠加双周边晶圆的堆叠方式，技术逻辑与铠侠方案高度相似。行业普遍认为，单片晶圆的物理极限约为500层，多晶圆异构堆叠已成为冲击千层门槛的必由之路。三星计划在2030年实现千层NAND的商用。

此外，三星还同步布局下一代铁电NAND技术，并联合英伟达及高校研发PINO AI仿真模型，将性能模拟效率提升万倍级别。铁电NAND不仅能支持千层堆叠，还可降低96%的功耗，有望兼顾产能扩容与绿色节能需求，成为后千层时代的重要技术方向。