据韩国媒体报道，三星电子的新一代1d DRAM（第七代10nm工艺）因良率未达标，短期内可能无法实现量产，进而影响其下一代HBM内存的推进节奏。这一技术问题直接波及三星计划中的HBM5E产品大规模生产。
一位接近三星内部的人士透露，三星电子决定在D1d良率达到预期目标之前无限期推迟量产计划，且尚未明确重启时间。公司正重新审视工艺路线图，以寻求良率提升的解决方案。尽管D1d DRAM技术此前已通过预生产批准（PRA），但因良率低于预期，三星对其试产和量产的投资回报率（ROI）表示担忧。
D1d DRAM技术对三星未来的HBM产品路线图至关重要，预计将应用于其第九代HBM产品HBM5E。目前，1c DRAM已广泛用于HBM4、HBM4E和HBM5三代产品。其中，HBM4预计将在今年晚些时候推出，主要面向英伟达的Vera Rubin平台和AMD的MI400平台；HBM4E则可能应用于Rubin Ultra和MI500加速器；HBM5及其定制版本预计将服务于英伟达Feynman系列及其他竞争方案。
与此同时，三星正在韩国温阳建设一座大型芯片工厂，该设施面积相当于四个足球场，将涵盖封装、测试、物流及质量控制等关键环节，以支持包括HBM在内的下一代DRAM产品的长期稳定生产。
在HBM领域，三星与SK海力士的竞争日益激烈。据报道，SK海力士已在D1d DRAM技术上实现良率突破，进一步加剧了三星的压力。此前有消息称，三星正大幅压缩HBM的研发周期，但快速研发并不等于能够迅速实现量产。
